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　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》g跟ml一样吗洗发水，g和ml有区别吗《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室g跟ml一样吗洗发水，g和ml有区别吗按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎng跟ml一样吗洗发水，g和ml有区别吗)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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